2N5012 Datenblatt
Technische Daten für 2N5012
Artikelnummer :
2N5012
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
NPN SILICON TRANSISTOR
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
Transistortyp :
NPN
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
200mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
700V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
-
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
10nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
30 @ 25mA, 10V
Leistung max :
1W
Frequenz - Übergang :
-
Betriebstemperatur :
-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Supplier Device Package :
TO-5
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-2N5012
Hersteller
Kurze Beschreibung
NPN SILICON TRANSISTOR
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
89280 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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