2N7636-GA Datenblatt
Technische Daten für 2N7636-GA
Artikelnummer :
2N7636-GA
Hersteller :
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung :
TRANS SJT 650V 4A TO276
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
-
Technologie :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A (Tc) (165°C)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
415 mOhm @ 4A
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
324pF @ 35V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 225°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-276
Paket / fall :
TO-276AA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-2N7636-GA
Hersteller
Kurze Beschreibung
TRANS SJT 650V 4A TO276
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
66016 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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