3LN01C-TB-H Datenblatt
Technische Daten für 3LN01C-TB-H
Artikelnummer :
3LN01C-TB-H
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
150mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.7 Ohm @ 80mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
1.58nC @ 10V
Vgs (Max) :
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
7pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
250mW (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
3-CP
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-3LN01C-TB-H
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
49568 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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