70T633S12BCI8 Datenblatt
Technische Daten für 70T633S12BCI8
Artikelnummer :
70T633S12BCI8
Hersteller :
IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung :
IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Speichertyp :
Volatile
Speicherformat :
SRAM
Technologie :
SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße :
9Mb (512K x 18)
Taktfrequenz :
-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
12ns
Zugriffszeit :
12ns
Speicherschnittstelle :
Parallel
Spannungsversorgung :
2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
256-LBGA
Supplier Device Package :
256-CABGA (17x17)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-70T633S12BCI8
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
38199 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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