70V3579S4DRG Datenblatt
Technische Daten für 70V3579S4DRG
Artikelnummer :
70V3579S4DRG
Hersteller :
IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung :
IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
Serie :
-
Teilestatus :
Preliminary
Speichertyp :
Volatile
Speicherformat :
SRAM
Technologie :
SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße :
1.125Mb (32K x 36)
Taktfrequenz :
-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
-
Zugriffszeit :
4.2ns
Speicherschnittstelle :
Parallel
Spannungsversorgung :
3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur :
0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
208-BFQFP
Supplier Device Package :
208-PQFP (28x28)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-70V3579S4DRG
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
59138 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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