A2G35S160-01SR3 Datenblatt
Technische Daten für A2G35S160-01SR3
Artikelnummer :
A2G35S160-01SR3
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Transistortyp :
LDMOS
Frequenz :
3.4GHz ~ 3.6GHz
Gewinnen :
15.7dB
Spannungs - Test :
48V
Aktuelle Bewertung :
-
Rauschzahl :
-
Aktueller Test :
190mA
Leistung :
51dBm
Spannung - bewertet :
125V
Paket / fall :
NI-400S-2S
Supplier Device Package :
NI-400S-2S
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-A2G35S160-01SR3
Hersteller
Kurze Beschreibung
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
40902 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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