A2T18H100-25SR3 Datenblatt
Technische Daten für A2T18H100-25SR3
Artikelnummer :
A2T18H100-25SR3
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
FET RF 2CH 65V 1.81GHZ
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Transistortyp :
LDMOS (Dual)
Frequenz :
1.81GHz
Gewinnen :
18.1dB
Spannungs - Test :
28V
Aktuelle Bewertung :
-
Rauschzahl :
-
Aktueller Test :
230mA
Leistung :
18W
Spannung - bewertet :
65V
Paket / fall :
NI-780-4S4
Supplier Device Package :
NI-780-4S4
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-A2T18H100-25SR3
Hersteller
Kurze Beschreibung
FET RF 2CH 65V 1.81GHZ
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
41820 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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- ABC Semiconductor hat A2T18H100-25SR3 auf Lager zum Verkauf. Wir können innerhalb von 1-2 Tagen an Sie versenden. Bitte kontaktieren Sie uns für einen günstigeren Preis für A2T18H100-25SR3. Unsere E-Mail: [email protected]
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