A2T18H455W23NR6 Datenblatt
Technische Daten für A2T18H455W23NR6
Artikelnummer :
A2T18H455W23NR6
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Transistortyp :
LDMOS
Frequenz :
1.805GHz ~ 1.88GHz
Gewinnen :
14.5dB
Spannungs - Test :
31.5V
Aktuelle Bewertung :
10µA
Rauschzahl :
-
Aktueller Test :
1.08A
Leistung :
56dBm
Spannung - bewertet :
65V
Paket / fall :
OM-1230-4L2S
Supplier Device Package :
OM-1230-4L2S
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-A2T18H455W23NR6
Hersteller
Kurze Beschreibung
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
34323 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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