APTM10UM02FAG Datenblatt
Technische Daten für APTM10UM02FAG
Artikelnummer :
APTM10UM02FAG
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 570A SP6
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
570A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.5 mOhm @ 200A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 10mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
1360nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
40000pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1660W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Supplier Device Package :
SP6
Paket / fall :
SP6
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-APTM10UM02FAG
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 570A SP6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
33507 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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