APTM120A80FT1G Datenblatt
Technische Daten für APTM120A80FT1G
Artikelnummer :
APTM120A80FT1G
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
14A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
960 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
260nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6696pF @ 25V
Leistung max :
357W
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
SP1
Supplier Device Package :
SP1
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-APTM120A80FT1G
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
50375 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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