APTMC60TLM14CAG Datenblatt
Technische Daten für APTMC60TLM14CAG
Artikelnummer :
APTMC60TLM14CAG
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
4 N-Channel (Three Level Inverter)
FET-Funktion :
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
219A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 150A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 30mA (Typ)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
483nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
8400pF @ 1000V
Leistung max :
925W
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
SP6
Supplier Device Package :
SP6
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-APTMC60TLM14CAG
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
58975 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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