AS6C8016-55BINTR Datenblatt
Technische Daten für AS6C8016-55BINTR
Artikelnummer :
AS6C8016-55BINTR
Hersteller :
Alliance Memory, Inc.
Beschreibung :
IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Speichertyp :
Volatile
Speicherformat :
SRAM
Technologie :
SRAM - Asynchronous
Speichergröße :
8Mb (512K x 16)
Taktfrequenz :
-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
55ns
Zugriffszeit :
55ns
Speicherschnittstelle :
Parallel
Spannungsversorgung :
2.7V ~ 5.5V
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
48-LFBGA
Supplier Device Package :
48-TFBGA (6x8)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-AS6C8016-55BINTR
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
171000 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
- (Bitte kontaktieren Sie uns für einen besseren Preis: [email protected])
- ABC Semiconductor hat AS6C8016-55BINTR auf Lager zum Verkauf. Wir können innerhalb von 1-2 Tagen an Sie versenden. Bitte kontaktieren Sie uns für einen günstigeren Preis für AS6C8016-55BINTR. Unsere E-Mail: [email protected]
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