BSC022N03S Datenblatt
Technische Daten für BSC022N03S
Artikelnummer :
BSC022N03S
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
28A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
58nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
7490pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.8W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TDSON-8
Paket / fall :
8-PowerTDFN
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-BSC022N03S
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
59008 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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