BSD816SNH6327XTSA1 Datenblatt
Technische Daten für BSD816SNH6327XTSA1
Artikelnummer :
BSD816SNH6327XTSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
160 mOhm @ 1.4A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
0.95V @ 3.7µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.6nC @ 2.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
180pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
500mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-SOT363-6
Paket / fall :
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
8816829 Stücke
Referenzpreis
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