BSG0810NDIATMA1 Datenblatt
Technische Daten für BSG0810NDIATMA1
Artikelnummer :
BSG0810NDIATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion :
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
19A, 39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1040pF @ 12V
Leistung max :
2.5W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 155°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerTDFN
Supplier Device Package :
PG-TISON-8
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-BSG0810NDIATMA1
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
583912 Stücke
Referenzpreis
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