BSL372SNH6327XTSA1 Datenblatt
Technische Daten für BSL372SNH6327XTSA1
Artikelnummer :
BSL372SNH6327XTSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
220 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.8V @ 218µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
14.3nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
329pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TSOP-6-6
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2625945 Stücke
Referenzpreis
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