BUK9C5R3-100EJ Datenblatt
Technische Daten für BUK9C5R3-100EJ
Artikelnummer :
BUK9C5R3-100EJ
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V D2PAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D2PAK-7
Paket / fall :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-BUK9C5R3-100EJ
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V D2PAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
46124 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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