CSD87335Q3DT Datenblatt
Technische Daten für CSD87335Q3DT
Artikelnummer :
CSD87335Q3DT
Hersteller :
T-I
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 25A
Serie :
NexFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.9V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1050pF @ 15V
Leistung max :
6W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerLDFN
Supplier Device Package :
8-LSON (3.3x3.3)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-CSD87335Q3DT
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 25A
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
506688 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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