CY62147GN18-55BVXI Datenblatt
Technische Daten für CY62147GN18-55BVXI
Artikelnummer :
CY62147GN18-55BVXI
Hersteller :
Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung :
IC SRAM 4M PARALLEL
Serie :
MoBL®
Teilestatus :
Active
Speichertyp :
Volatile
Speicherformat :
SRAM
Technologie :
SRAM - Asynchronous
Speichergröße :
4Mb (256K x 16)
Taktfrequenz :
-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
55ns
Zugriffszeit :
55ns
Speicherschnittstelle :
Parallel
Spannungsversorgung :
1.65V ~ 2.2V
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
48-VFBGA
Supplier Device Package :
48-VFBGA (6x8)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC SRAM 4M PARALLEL
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
203920 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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