DMHC6070LSD-13 Datenblatt
Technische Daten für DMHC6070LSD-13
Artikelnummer :
DMHC6070LSD-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.1A, 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
11.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
731pF @ 20V
Leistung max :
1.6W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-DMHC6070LSD-13
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1254106 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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