DMN1053UCP4-7 Datenblatt
Technische Daten für DMN1053UCP4-7
Artikelnummer :
DMN1053UCP4-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
42 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
908pF @ 6V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.34W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
X3-DSN0808-4
Paket / fall :
4-XFBGA, CSPBGA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-DMN1053UCP4-7
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
3638145 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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