DMN2005K-7 PDF-Datenblatt herunterladen - MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3

Technische Daten für DMN2005K-7

Artikelnummer : DMN2005K-7

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 300mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 2.7V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 Ohm @ 200mA, 2.7V

Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 100µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 350mW (Ta)

Betriebstemperatur : -65°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SOT-23-3

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Hersteller Teilenummer

DMN2005K-7

Interne Teilenummer

ABC-DMN2005K-7

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

3506608 Stücke

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DMN2005K-7 Datenblatt

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