DMN2005UPS-13 Datenblatt
Technische Daten für DMN2005UPS-13
Artikelnummer :
DMN2005UPS-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
142nC @ 10V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5337pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.5W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerDI5060-8
Paket / fall :
8-PowerTDFN
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-DMN2005UPS-13
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1519602 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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