Technische Daten für DMN3900UFA-7B

Artikelnummer : DMN3900UFA-7B
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 550mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 760 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.7nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 42.2pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 390mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : X2-DFN0806-3
Paket / fall : 3-XFDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
5835186 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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