DMN61D9UDW-13 Datenblatt
Technische Daten für DMN61D9UDW-13
Artikelnummer :
DMN61D9UDW-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
28.5pF @ 30V
Leistung max :
320mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package :
SOT-363
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-DMN61D9UDW-13
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
7591017 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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