DMPH6050SFGQ-7 Datenblatt
Technische Daten für DMPH6050SFGQ-7
Artikelnummer :
DMPH6050SFGQ-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFETP-CH 60VPOWERDI3333-8
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.1A (Ta), 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
24.1nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1.293nF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.2W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerDI3333-8
Paket / fall :
8-PowerVDFN
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-DMPH6050SFGQ-7
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFETP-CH 60VPOWERDI3333-8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1490034 Stücke
Referenzpreis
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