DTDG14GPT100 Datenblatt
Technische Daten für DTDG14GPT100
Artikelnummer :
DTDG14GPT100
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Transistortyp :
NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
1A
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
60V
Widerstand - Basis (R1) :
-
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
300 @ 500mA, 2V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
400mV @ 5mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang :
80MHz
Leistung max :
2W
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-243AA
Supplier Device Package :
MPT3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-DTDG14GPT100
Hersteller
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
3161634 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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