FDB0165N807L Datenblatt
Technische Daten für FDB0165N807L
Artikelnummer :
FDB0165N807L
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 80V 310A TO263
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
310A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.6 mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
304nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
23660pF @ 40V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D²PAK (TO-263)
Paket / fall :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-FDB0165N807L
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 310A TO263
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
202648 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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