FDD6530A Datenblatt
Technische Daten für FDD6530A
Artikelnummer :
FDD6530A
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
21A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
32 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
9nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
710pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.3W (Ta), 33W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-FDD6530A
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1446662 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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