FDG6308P PDF-Datenblatt herunterladen - MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6

Technische Daten für FDG6308P

Artikelnummer : FDG6308P

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 600mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 153pF @ 10V

Leistung max : 300mW

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Supplier Device Package : SC-88 (SC-70-6)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Hersteller Teilenummer

FDG6308P

Interne Teilenummer

ABC-FDG6308P

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

3006696 Stücke

Referenzpreis

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Unser Preis

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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EPM7256AETI100-7N	Intel	IC CPLD 256MC 7.5NS 100TQFP

FDG6308P Datenblatt

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