FDG6321C-F169 Datenblatt
Technische Daten für FDG6321C-F169
Artikelnummer :
FDG6321C-F169
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
INTEGRATED CIRCUIT
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
500mA (Ta), 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450 mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
2.3nC @ 4.5V, 1.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
50pF @ 10V, 62pF @ 10V
Leistung max :
300mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package :
SC-88/SC70-6/SOT-363
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-FDG6321C-F169
Hersteller
Kurze Beschreibung
INTEGRATED CIRCUIT
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
54249 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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- ABC Semiconductor hat FDG6321C-F169 auf Lager zum Verkauf. Wir können innerhalb von 1-2 Tagen an Sie versenden. Bitte kontaktieren Sie uns für einen günstigeren Preis für FDG6321C-F169. Unsere E-Mail: [email protected]
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