FDS8958B_G Datenblatt
Technische Daten für FDS8958B_G
Artikelnummer :
FDS8958B_G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.4A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 6.4A, 10V, 51 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
5.8nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
540pF @ 15V, 760pF @ 15V
Leistung max :
900mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-FDS8958B_G
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
53768 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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