FF45MR12W1M1B11BOMA1 Datenblatt
Technische Daten für FF45MR12W1M1B11BOMA1
Artikelnummer :
FF45MR12W1M1B11BOMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET MODULE 1200V 50A
Serie :
CoolSiC™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
25A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 25A, 15V (Typ)
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.55V @ 10mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
62nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1840pF @ 800V
Leistung max :
20mW (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
AG-EASY1BM-2
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET MODULE 1200V 50A
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
49408 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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