FQB1P50TM PDF-Datenblatt herunterladen - MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK

Technische Daten für FQB1P50TM

Artikelnummer : FQB1P50TM

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK

Serie : QFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.5 Ohm @ 750mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3.13W (Ta), 63W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D²PAK (TO-263AB)

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Hersteller Teilenummer

FQB1P50TM

Interne Teilenummer

ABC-FQB1P50TM

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

466571 Stücke

Referenzpreis

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Unser Preis

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FQB1P50TM Datenblatt

Technische Daten für FQB1P50TM

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