GSID080A120B1A5 Datenblatt
Technische Daten für GSID080A120B1A5
Artikelnummer :
GSID080A120B1A5
Hersteller :
Global Power Technologies Group
Beschreibung :
SILICON IGBT MODULES
Serie :
Amp+™
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
-
Aufbau :
Single
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
160A
Leistung max :
1710W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 80A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
7nF @ 25V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
Yes
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
Module
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-GSID080A120B1A5
Hersteller
Kurze Beschreibung
SILICON IGBT MODULES
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
51232 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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