GT60N321(Q) Datenblatt
Technische Daten für GT60N321(Q)
Artikelnummer :
GT60N321(Q)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
IGBT-Typ :
-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1000V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
120A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.8V @ 15V, 60A
Leistung max :
170W
Energie wechseln :
-
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
-
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
330ns/700ns
Testbedingung :
-
Reverse Recovery Time (trr) :
2.5µs
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-3PL
Supplier Device Package :
TO-3P(LH)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-GT60N321(Q)
Hersteller
Kurze Beschreibung
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
84915 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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