HAT2175H-EL-E Datenblatt
Technische Daten für HAT2175H-EL-E
Artikelnummer :
HAT2175H-EL-E
Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 15A 5LFPAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
15A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
42 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
21nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1445pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
15W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
LFPAK
Paket / fall :
SC-100, SOT-669
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-HAT2175H-EL-E
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 15A 5LFPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
59375 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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