HGT1S20N60A4S9A Datenblatt
Technische Daten für HGT1S20N60A4S9A
Artikelnummer :
HGT1S20N60A4S9A
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
IGBT 600V 70A 290W TO263AB
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
IGBT-Typ :
-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
280A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.7V @ 15V, 20A
Leistung max :
290W
Energie wechseln :
105µJ (on), 150µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
142nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
15ns/73ns
Testbedingung :
390V, 20A, 3 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package :
TO-263AB
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-HGT1S20N60A4S9A
Hersteller
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 70A 290W TO263AB
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
84177 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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