HGTD3N60C3S9A Datenblatt
Technische Daten für HGTD3N60C3S9A
Artikelnummer :
HGTD3N60C3S9A
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
IGBT 600V 6A 33W TO252AA
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
IGBT-Typ :
-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
6A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
24A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 3A
Leistung max :
33W
Energie wechseln :
85µJ (on), 245µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
10.8nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
-
Testbedingung :
480V, 3A, 82 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package :
TO-252AA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-HGTD3N60C3S9A
Hersteller
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 6A 33W TO252AA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
83988 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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