HS8K11TB Datenblatt
Technische Daten für HS8K11TB
Artikelnummer :
HS8K11TB
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7A, 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17.9 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
11.1nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
500pF @ 15V
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-UDFN Exposed Pad
Supplier Device Package :
HSML3030L10
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-HS8K11TB
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
4266206 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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