HUF75329D3ST Datenblatt
Technische Daten für HUF75329D3ST
Artikelnummer :
HUF75329D3ST
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
Serie :
UltraFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
65nC @ 20V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1060pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
128W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252AA
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-HUF75329D3ST
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1215956 Stücke
Referenzpreis
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