IDT70P3517S233RM Datenblatt
Technische Daten für IDT70P3517S233RM
Artikelnummer :
IDT70P3517S233RM
Hersteller :
IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung :
IC SRAM 9M PARALLEL 576FCBGA
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
Speichertyp :
Volatile
Speicherformat :
SRAM
Technologie :
SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
Speichergröße :
9Mb (256K x 36)
Taktfrequenz :
233MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
-
Zugriffszeit :
7.2ns
Speicherschnittstelle :
Parallel
Spannungsversorgung :
1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur :
0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
576-BBGA, FCBGA
Supplier Device Package :
576-FCBGA (25x25)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-IDT70P3517S233RM
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC SRAM 9M PARALLEL 576FCBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
63520 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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- ABC Semiconductor hat IDT70P3517S233RM auf Lager zum Verkauf. Wir können innerhalb von 1-2 Tagen an Sie versenden. Bitte kontaktieren Sie uns für einen günstigeren Preis für IDT70P3517S233RM. Unsere E-Mail: [email protected]
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