IGB50N65S5ATMA1 Datenblatt
Technische Daten für IGB50N65S5ATMA1
Artikelnummer :
IGB50N65S5ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
IGBT PRODUCTS
Serie :
TrenchStop™ 5
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
200A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
1.7V @ 15V, 50A
Leistung max :
270W
Energie wechseln :
1.23mJ (on), 740µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
120nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
20ns/139ns
Testbedingung :
400V, 50A, 8.2 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package :
PG-TO263-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-IGB50N65S5ATMA1
Hersteller
Kurze Beschreibung
IGBT PRODUCTS
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
302001 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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