IGLD60R070D1AUMA1 Datenblatt
Technische Daten für IGLD60R070D1AUMA1
Artikelnummer :
IGLD60R070D1AUMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
IC GAN FET 600V 60A 8SON
Serie :
CoolGaN™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.6V @ 2.6mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
380pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
114W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-LSON-8-1
Paket / fall :
8-LDFN Exposed Pad
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC GAN FET 600V 60A 8SON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
76219 Stücke
Referenzpreis
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