IPG20N04S4L11AATMA1 Datenblatt
Technische Daten für IPG20N04S4L11AATMA1
Artikelnummer :
IPG20N04S4L11AATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.6 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 15µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
26nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1990pF @ 25V
Leistung max :
41W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerVDFN
Supplier Device Package :
PG-TDSON-8-10
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 8TDSON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1360919 Stücke
Referenzpreis
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