IPI80P03P4L04AKSA1 Datenblatt
Technische Daten für IPI80P03P4L04AKSA1
Artikelnummer :
IPI80P03P4L04AKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 253µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
160nC @ 10V
Vgs (Max) :
+5V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
11300pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
137W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO262-3
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
39872 Stücke
Referenzpreis
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