IPN70R1K4P7SATMA1 Datenblatt
Technische Daten für IPN70R1K4P7SATMA1
Artikelnummer :
IPN70R1K4P7SATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Serie :
CoolMOS™ P7
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 40µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
4.7nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
158pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
6.2W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-SOT223
Paket / fall :
TO-261-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2633120 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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