IPU60R1K0CEBKMA1 Datenblatt
Technische Daten für IPU60R1K0CEBKMA1
Artikelnummer :
IPU60R1K0CEBKMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
Serie :
CoolMOS™ CE
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 130µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
280pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
37W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-251
Paket / fall :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-IPU60R1K0CEBKMA1
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
85696 Stücke
Referenzpreis
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