IPZ65R019C7XKSA1 Datenblatt
Technische Daten für IPZ65R019C7XKSA1
Artikelnummer :
IPZ65R019C7XKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V TO247-4
Serie :
CoolMOS™ C7
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
19 mOhm @ 58.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 2.92mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
215nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
9900pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
446W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO247-4
Paket / fall :
TO-247-4
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-IPZ65R019C7XKSA1
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V TO247-4
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
48711 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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