IRF9388PBF Datenblatt
Technische Daten für IRF9388PBF
Artikelnummer :
IRF9388PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 12A 8-SO
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
12A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.5 mOhm @ 12A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
52nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1680pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-IRF9388PBF
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 12A 8-SO
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
75843 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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